2004
№8
Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния — настоящее и будущее силовой электроники
Выдающиеся динамические характеристики, высокая рабочая температура и сверхнизкие потери проводимости полупроводников из карбида кремния выводят развитие элементной базы для силовой электроники на новый этап.
Статьи данных номеров доступны только в pdf-формате. Вы можете заказать старые номера журнала «Компоненты и технологии» в редакции. Извините за доставленные неудобства.
Другие статьи по данной теме:
- Инфракрасные полупроводниковые приборы Stanley Electric
- Технология гибких пленок SKiN вместо ультразвуковой сварки — удвоенная плотность тока
- Радиационно-стойкая статическая оперативная память от BAE Systems. Часть 1
- Керамические материалы для корпусов ИМС и полупроводниковых приборов
- Технология низкотемпературного спекания в силовых модулях
- Выставка и конференция SEMICON RUSSIA 2010
- Дозирование припоя при автоматизированном монтаже кристаллов полупроводниковых приборов
- Семинар «Тестирование полупроводниковых приборов с помощью измерительного оборудования Agilent Technologies, зондовых станций Cascade Microtech и тюнеров импеданса Maury Microwave»