*Влияние марки припоя и способов пайки кристаллов на параметры силовых полупроводниковых приборов на примере транзистора КП767В
В статье рассмотрены способы отбраковочных испытаний полупроводниковых приборов. По литературным данным установлено, что одним из основных параметров оценки качества напайки кристалла к основанию корпуса силовых полупроводниковых приборов является тепловое сопротивление «кристалл–корпус». Проанализировано влияние марки припоя и способов пайки кристаллов на электрические параметры и тепловое сопротивление «кристалл–корпус» (RТ кр-к) транзисторов КП767В, собранных в корпусах КТ-28-2 и КТ-43В. Экспериментально установлено: способы напайки кристаллов к основаниям корпусов транзисторов КТ-28-2 и КТ-43В практически не влияют на электрические параметры транзисторов КП767В; RТ кр-к существенно зависит от способов пайки и типов корпусов.
Статьи данных номеров доступны в печатном и pdf-вариантах. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и технологии» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.
Другие статьи по данной теме:
- Новые физические эффекты в нанометровых МОП-транзисторах
- Керамические материалы для корпусов ИМС и полупроводниковых приборов
- Практический семинар «Тестирование полупроводниковых приборов с помощью измерительных приборов Agilent Technologies и зондовых станций Cascade Microtech », 24-25 марта 2010 г., Москва
- Полупроводниковые комплекты для разработки и аксессуары Arduino
- Практический опыт применения ERP-системы в производстве силовых полупроводниковых приборов
- Современные технологии изготовления чипов и сборки в полупроводниковой микроэлектронике
- СВЧ транзисторы компании Advanced Power Technology для авионики и радаров