Мощные транзисторы компании Polyfet RF Devices на основе кремния

Компания Polyfet RF Devices выпустила новые мощные транзисторы на основе кремния, выполненные по технологии LDMOS, — LS2541 и LA2541. Они принадлежат к относительно новому семейству транзисторов с напряжением питания 28 В. Устройства отличаются высоким коэффициентом усиления и КПД, улучшенной защитой от электростатического разряда, низким уровнем шума и высоким напряжением пробоя.

Основные характеристики:

• выходная мощность: 200 Вт;
• диапазон рабочих частот: 1–1100 МГц;
• минимальный коэффициент усиления: 16 дБ;
• общая рассеиваемая мощность: 460 Вт;
• КПД: 60 %;
• максимальное напряжение «сток-затвор» и «сток-исток»: 80 В;
• ток насыщения: 21 А;
• тепловое сопротивление «переход-корпус»: 0,38 °С/Вт;
• максимальная температура перехода: +200 °С;
• размеры с выводами: 34×19,6×4,3 мм.

Модели LS2541 и LA2541 несколько отличаются стилем корпуса. Транзисторы не содержат внутренних согласующих элементов, поэтому могут использоваться как в широкополосных, так и в узкополосных устройствах.

ООО «Радиокомп»