Новый усилитель высокой мощности компании United Monolithic Semiconductors
Компания United Monolithic Semiconductors (UMS) разработала новый усилитель высокой мощности — CHA8710-99F, который представляет собой монолитную СВЧ-микросхему, изготовленную по технологии на основе GaN (нитрид галлия).
Усилитель выполнен по двухкаскадной схеме. Он отличается высокой выходной мощностью, высоким коэффициентом усиления и очень хорошим значением КПД суммирования мощности. Новая модель доступна в виде чипа.
Основные характеристики:
- диапазон рабочих частот: 8,5–10,5 ГГц;
- линейный коэффициент усиления в импульсном/непрерывном режиме: 28,5/28 дБ;
- выходная мощность в импульсном/непрерывном режиме: 25/23,5 Вт;
- КПД суммирования мощности в импульсном/непрерывном режиме: 44/41,5%;
- обратные потери по входу/выходу: 10/8 дБ;
- максимальная входная мощность: 33 дБм;
- диапазон рабочих температур: –40…+85 °С;
- максимальная температура перехода: 230 °С;
- напряжение питания: 25 В;
- размеры чипа: 5,1×4,2×0,1 мм.
Основные области использования нового усилителя: оборудование коммерческих и военных систем связи.