Новый усилитель высокой мощности компании United Monolithic Semiconductors

Компания United Monolithic Semiconductors (UMS) разработала новый усилитель высокой мощности — CHA8710-99F, который представляет собой монолитную СВЧ-микросхему, изготовленную по технологии на основе GaN (нитрид галлия).

Усилитель выполнен по двухкаскадной схеме. Он отличается высокой выходной мощностью, высоким коэффициентом усиления и очень хорошим значением КПД суммирования мощности. Новая модель доступна в виде чипа.

Основные характеристики:

  • диапазон рабочих частот: 8,5–10,5 ГГц;
  • линейный коэффициент усиления в импульсном/непрерывном режиме: 28,5/28 дБ;
  • выходная мощность в импульсном/непрерывном режиме: 25/23,5 Вт;
  • КПД суммирования мощности в импульсном/непрерывном режиме: 44/41,5%;
  • обратные потери по входу/выходу: 10/8 дБ;
  • максимальная входная мощность: 33 дБм;
  • диапазон рабочих температур: –40…+85 °С;
  • максимальная температура перехода: 230 °С;
  • напряжение питания: 25 В;
  • размеры чипа: 5,1×4,2×0,1 мм.

Основные области использования нового усилителя: оборудование коммерческих и военных систем связи.

ООО «Радиокомп»

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *