Новый номер журнала «Силовая электроника»

Рады сообщить вам, что вышел новый номер журнала «Силовая электроника» №3 за 2012 г.

новый номер журнала №3 за 2012 г.

В новом номере:

  • Бескорпусные сварочные диоды с повышенной стойкостью к электротермоциклированию

    Компания «Протон-Электротекс» расширяет номенклатуру сварочных диодов в таблеточном исполнении, применяемых в аппаратах контактной сварки. Статья знакомит читателя с техническими характеристиками и особенностями применения этих диодов.

  • Электронные компоненты высокой мощности для систем защиты РЭА от импульсных перенапряжений

    Предложена технология изготовления полупроводниковых ограничителей напряжения (ПОН) для систем управления комплексной защитой РЭА от импульсных электрических перенапряжений. Технология позволяет изготавливать ПОН защиты мощностью до 150 кВт для импульсов экспоненциальной формы с характеристиками 10/1000 мкс. Полупроводниковые ограничители напряжения могут быть использованы для построения систем защиты электропитания бытового и военного назначения, наземного и воздушного транспорта, систем связи и коммуникаций.

  • Микроконтроллеры Texas Instruments для управления электроприводами

    Появившиеся относительно недавно микроконтроллеры с ядрами Cortex-M3/R4F/M4F, представленные семействами LM3S, TMS570 и LM4F, позволяют создавать системы с пониженной потребляемой мощностью и богатым набором коммуникационных возможностей, повышенной надежностью и возможностью обсчета сложных алгоритмов управления приводом. С появлением семейства двухъядерных микроконтроллеров Concerto (Cortex-M3 + C28xx) возможности разработчиков еще более расширились за счет разделения алгоритмов обмена с управляющей системой и управления движением на различные ядра. В данной статье представлены решения компании TI для управления электродвигателями на базе всех упомянутых выше семейств микроконтроллеров.

  • Охлаждение силовых модулей: проблемы и решения

    Удельное значение мощности потерь, рассеиваемой в современных силовых модулях, достигает сотен Вт/см2, потери на кристаллах скоростных микроконтроллеров оказываются не намного меньше. Стремление к снижению габаритов и увеличению плотности мощности преобразовательных устройств неизбежно создает серьезные проблемы, связанные с отводом тепла. Достижения технологии IGBT последних лет привели к появлению кристаллов с предельно высокими значениями плотности тока, диапазон их рабочих температур расширен до +175 °С и даже +200 °С. В результате этого все более возрастает значение теплового перехода «корпус — радиатор — окружающая среда», а характеристики системы охлаждения становятся решающими при проектировании конструкции преобразователя. Физические ограничения для систем отвода тепла определяются значением максимальной рассеиваемой мощности на единицу контактной площади, температурой внешней среды и габаритными размерами. В рамках данной статьи мы рассмотрим, прежде всего, воздушные и жидкостные системы охлаждения силовых модулей, поскольку они используется в 95% случаев. Однако для полноты картины будут описаны и другие, более экзотические методы.

Ознакомиться с номером можно по адресу: http://power-e.ru/number.php?year=2012&number=3. Следующий номер журнала выйдет 20 августа. Следите за анонсами!

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *