TVS-диоды General Cemiconductor малоемкостные дискретные TVS-диоды TRANSZORB серии LCE6.5—LCE28A
Диоды серии LCE6.5–LCE28A — это специальные диоды с пониженной емкостью за счет включения последовательно с несимметричным TVS-диодом быстродействующего импульсного диода, как это показано на рис. 11.
В результате получается TVS-диод с максимально эффективной емкостью 100 пф. Такой диод является идеальным решением для защиты высокоскоростных линий передачи данных. Габаритные размеры диодов этой серии такие же, как у диодов серии 1,5КЕ.
Параметр | Обозначение | Значение параметра | Ед. изм. |
Макс. имп. мощность (имп.- 10/100 мкс.) (1) (2) | Pppm | Мин. 1500 | Вт |
Макс. имп. ток (имп.- 10/100 мкс) (1) (2) | Ippm | См. следующую таблицу | А |
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=75°, длине выводов 9,5 мм | Pm (av) | 6,5 | Вт |
Температура окружающей среды | Т | -65…+175 | °С |
Примечание. (1) При одиночном импульсе тока и при температуре 25°С. (2) См. рисунок 4.
Тип | Посто янное обратное напря жение Vwm (B) | Напря жение пробоя V(br) (B) | Напря жение пробоя V(br) (B) MaxMin |
Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) | Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) | Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) | Макс. емкость (пФ) | Раб. напря жение противо положной поляр ности Vwib | Макс. ток противо положной поляр ности при Vwib Iib (mA) | Мин. импульс напряж. противо положной поляр ности Vpib (B) |
LCE6.5- | 6.5 | 7.22 | 8.8210.00 | 1000 | 12.3 | 100 | 100 | 75 | 1.0 | 100 |
LCE28А | 28 | 31.1 | 43.41.0 | 5.0 | 45.5 | 33 | 100 | 75 | 1.0 | 100 |
TVS-диоды TRANSZORB® серии P6KE6.8 — P6KE440CA
Диоды серии P6КЕ6,8–P6КЕ440СА выпускаются в симметричном и несимметричном исполнении. В обозначении симметричного диода добавляется суффикс С или СА.
Параметр | Обозначение | Значение параметра | Ед. изм. |
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс) (1) | Pppm | Min. 600 | Вт |
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) | Ippm | См. следующую таблицу | А |
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=75°, длине выводов 9,5 мм | P m(av) | 5,0 | Вт |
Макс прямой ток, только для несимметричных диодов | Ifsm | 100 | A |
Макс. имп. прямое напряжение при 100 А, только для несимметричных диодов | Vf | 3,5/5,0 | V |
Температура окружающей среды | Т | -55…+175 | °С |
Примечание. (1) См. рисунок 4
Таблица 8. Электрические параметры
Тип | Напряжение пробоя V(br) (B) Макс.Мин. |
Тест. ток пробоя It (mA) | Постоянное обратное напряжение Vwm (B) | Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (1) | Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) | Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) | Темпер. коэф. напря жения пробоя (%/°С) |
Р6КЕ6.8 — | 6.127.48 | 10 | 5.5 | 1000 | 55.6 | 10.8 | 0.057 |
Р6КЕ440А | 418462 | 1.0 | 376 | 1.0 | 1.0 | 602 | 0.110 |
Примечание. (1) Для симметричных диодов с Vwm=10 В и менее, значение Id в два раза меньше.В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).
Малоемкостные TVS-диоды TRANSZORB® серии SAC5.0–SAC50
Принцип работы малоемкостных диодов серии SAC5.0–SAC50 аналогичен принципу работы диодов серии LCE6.5–LCE28A. Габаритные размеры диодов этой серии такие же, как у диодов серии P6КЕ.
Параметр | Обозначение | Значение параметра | Ед. изм. |
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс) (1) | Pppm | Min. 5000 | Вт |
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) | Ippm | См. следующую таблицу | А |
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=75°, длине выводов 9,5 мм | P m(av) | 8,0 | Вт |
Макс прямой ток, только для несимметричных диодов | Ifsm | 500 | A |
Макс. имп. прямое напряжение при 100 А, только для несимметричных диодов | Vf | 3,5 | V |
Температура окружающей среды | Т | -55…+175 | °С |
Примечание. (!) См. рисунок 4.
Тип | Напряжение пробоя V(br) (B) Макс.Мин. |
Тест. ток пробоя It (mA) | Постоянное обратное напряжение Vwm (B) | Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (1) | Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) | Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) | Темпер. коэф. напря жения пробоя (%/°С) |
РКР5.0 — | 6,47,30 | 50 | 5,0 | 2000 | 521 | 9,6 | 0,057 |
РКР110А | 122135 | 5,0 | 110 | 2,0 | 28,2 | 177 | 0.112 |
Примечание. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).
Параметр | Обозначение | Значение параметра | Ед. изм. |
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс.) (1) (2) | Pppm | Мин. 500 | Вт |
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) (2) | Ippm | См. следующую таблицу | А |
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=75°, длине выводов 9,5 мм | Pm (av) | 3,0 | Вт |
Температура окружающей среды | Т | -65…+175 | °С |
Примечание. (1) При одиночном импульсе тока и при температуре 25°С. (2) См. рисунок 4.
Тип | Посто янное обратное напря жение Vwm (B) | Мин. напря жение пробоя при It=1,0mA V(br) (B) | Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) | Макс. напря жение ограни чения при Ipp=5,0A Vc (B) | Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) | Макс. емкость (пФ) | Раб. напря жение противо положной поляр ности Vwib (B) | Макс. ток противо положной поляр ности при Vwib Iib (mA) | Мин. импульс напряж. противо положной поляр ности Vpib (B) |
SAC5.0 | 5.0 | 7.60 | 300 | 10.0 | 44 | 50 | 75 | 1.0 | 100 |
SAC50 | 50 | 55,5 | 5.0 | 88,0 | 5,8 | 50 | 150 | 1.0 | 200 |
Примечание. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).
График зависимости Ppp от T этой серии диодов аналогичен соответствующему графику для серии LCE6.5–LCE28A.
TVS-диоды TRANSZORB®серии 5KP5.0–5KP110A
Диоды серии 5KP5.0– 5KP110A выпускаются только в несимметричном исполнении. Диоды этой серии отличает высокое значение максимальной импульсной мощности (Pppm) — 5000 Вт и высокое быстродействие (без учета паразитной индуктивности) — менее 1 пс.
TVS-диоды TRANSZORB®в корпусах для поверхностного монтажа (SMD-корпусах)
TVS-диоды TRANSZORB® в корпусах для поверхностного монтажа (SMD-корпусах) обычно используются для монтажа непосредственно на печатные платы защищаемого оборудования. Они предназначены для защиты линий передачи данных, портов ввода/вывода и других цепей, содержащих чувствительные электронные компоненты от импульсных перенапряжений, вызываемых электростатическими, коммуникационными и грозовыми разрядами. Размеры используемых корпусов делают такие диоды идеальным средством защиты для применения в приложениях с высокой плотностью расположения компонентов, например переносные радиостанции, сотовые телефоны и радиотелефоны, и в другом малогабаритном электронном оборудовании.
Они характеризуются широким диапазоном рабочих напряжений (от 5,0 до 328 В) и напряжениями ограничения (от 9,6 до 328 В), малым временем срабатывания, способностью подавлять импульсы перенапряжений высокой мощности (до 1500 Вт при форме импульса 10/1000 мкс).
TVS-диоды TRANSZORB® серии 1,5SMC
Диоды серии 1,5SMC выпускаются в симметричном и несимметричном исполнении. В обозначении симметричного диода добавляется суффикс СА. Например, 1,5SMC10CA. В несимметричных диодах для обозначения катода на корпусе наносится специальная полоса (см. габаритный чертеж 1,5SMC).
График, иллюстрирующий зависимость Ppp или Ipp от T для диодов серии 1,5SMC аналогичен приведенному на рис.15 графику для диодов серии P6КЕ6,8 — P6КЕ440СА.
TVS-диоды TRANSZORB® серии P6SMB
Диоды серии P6SMB выпускаются в симметричном и несимметричном исполнении. В обозначении симетричного диода используется суффикс СА. Например, P6SMB10CA. В несимметричных диодах, для обозначения катода на корпусе наносится специальная полоса (см. габаритный чертеж P6SMB).
Параметр | Обозначение | Значение параметра | Ед. изм. |
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс.) (1) | Pppm | Мин. 1500 | Вт |
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) | Ippm | См. следующую таблицу | А |
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=50°, длине выводов 9,5 мм | Pm (av) | 6,5 | Вт |
Макс.прямой ток, только для несимметричных диодов (2) | Ifsm | 200 | А |
Температура окружающей среды | Т | -65…+150 | °С |
Примечание. (1) При одиночном импульсе тока (рис. 4) и при температуре 25 °С. (2) Измеряется только для несимметричных диодов при воздействии одиночного импульса в виде синусоидальной полуволны длительностью 8,3 мс (JEDEC метод).
Тип (General Semicon- ductor) | Напряжение пробоя V(br) (B) Макс.Мин. |
Тест. ток пробоя It (mA) | Постоянное обратное напряжение Vwm (B) | Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (2) | Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) (1) | Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) | Темпер. коэф. напря жения пробоя (%/°С) |
1.55МС6.8А- | 6,45-7,14 | 10 | 5,80 | 1000 | 143 | 10,5 | 0,057 |
1.55МС220А | 209231 | 1,0 | 185 | 1,0 | 4,6 | 238 | 0,108 |
Примечание. (1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4. (2) Для симметричных диодов с Vbr=10 B и менее, значение ID в два раза меньше. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).
График, иллюстрирующий зависимость Ppp или Ipp от T для диодов серии P6SMB аналогичен приведенному на рис.15 графику для диодов серии P6КЕ6,8 — P6КЕ440СА.
TVS-диоды TRANSZORB®серии SMAJ5.0- SMAJ188CA
Параметр | Обозначение | Значение параметра | Ед. изм. |
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс.) (1) | Pppm | Мин. 600 | Вт |
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) | Ippm | См. следующую таблицу | А |
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=50° | Pm (av) | 5,0 | Вт |
Макс.прямой ток, только для несимметричных диодов (2) | Ifsm | 100 | А |
Температура окружающей среды | Т | -65…+150 | °С |
Примечание. (1) При одиночном импульсе тока (рис. 4) и при температуре 25 °С. (2) Измеряется только для несимметричных диодов при воздействии одиночного импульса в виде синусоидальной полуволны длительностью 8,3 мс (JEDEC метод).
Тип (General Semicon- ductor) | Напряжение пробоя V(br) (B) Макс.Мин. |
Тест. ток пробоя It (mA) | Постоянное обратное напряжение Vwm (B) | Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (2) | Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) (1) | Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) | Темпер. коэф. напря жения пробоя (%/°С) |
Р68МВ6.8А- | 6,45-7,14 | 10 | 5,80 | 1000 | 57,1 | 10,5 | 0,057 |
Р65МВ220А | 209231 | 1,0 | 185 | 1,0 | 1,8 | 238 | 0,108 |
Примечание. (1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4. (2) Для симметричных диодов с Vbr=10 B и менее, значение ID в два раза меньше. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).
Диоды серии SMAJ5.0–SMAJ188CA выпускаются в симметричном и несимметричном исполнении. В обозначении симметричного диода добавляется суффикс СА. Например, SMAJ188CA. В несимметричных диодах, для обозначения катода на корпусе наносится специальная полоса (см. габаритный чертеж SMAJ188CA). Диоды этой серии оптимизированы для защиты оборудования локальных вычислительных сетей (ЛВС) от электростатических разрядов, в соответствии с требованиями МЭК 1000-4-2, и от перенапряжений, в соответствии с МЭК 1000-4-4.
Параметр | Обозначение | Значение параметра | Ед. изм. |
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс.) (1) | Pppm | Мин. 400 | Вт |
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) | Ippm | См. следующую таблицу | А |
Макс.прямой ток, только для несимметричных диодов (2) | Ifsm | 40 | А |
Температура окружающей среды | Т | -55…+150 | °С |
Примечание. (1) При одиночном импульсе тока (рис. 4) и при температуре 25 °С. (2) Измеряется только для несимметричных диодов при воздействии одиночного импульса в виде синусоидальной полуволны длительностью 8,3 мс (JEDEC метод).
Тип (General Semicon- ductor) | Напряжение пробоя V(br) (B) Макс.Мин. |
Тест. ток пробоя It (mA) | Постоянное обратное напряжение Vwm (B) | Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (2) | Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) (1) | Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) |
SMAJ5.0 | 6,40-7,14 | 10 | 5,80 | 800 | 31,1 | 9,6 |
SMAJ220А | 209231 | 1,0 | 185 | 1,0 | 0,91 | 328 |
Примечание. (1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4. (2) Для симметричных диодов с Vbr=10 B и менее, значение ID в два раза меньше. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).
График, иллюстрирующий зависимость Ppp или Ipp от T для диодов серии SMAJ5.0– SMAJ188CA аналогичен приведенному на рис. 15 графику для диодов серии P6КЕ6,8– P6КЕ440СА.
TVS-диоды TRANSZORB®серии TGL41-6.8–TGL41-200A
Параметр | Обозначение | Значение параметра | Ед. изм. |
Макс. имп. мощность (имп.- 10/1000 мкс.) (1) | Pppm | Мин. 400 | Вт |
Макс. имп. ток (имп.- 10/1000 мкс) (1) | Ippm | См. следующую таблицу | А |
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=50° | Pm (av) | 1,0 | Вт |
Макс.прямой ток, только для несимметричных диодов (2) | Ifsm | 40 | А |
Температура окружающей среды | Т | -55…+150 | °С |
Примечание. (1) При одиночном импульсе тока (рис. 4) и при температуре 25 °С. (2) Измеряется только для несимметричных диодов при воздействии одиночного импульса в виде синусоидальной полуволны длительностью 8,3 мс (макс. 4 импульса в минуту).
Тип (General Semicon- ductor) | Напряжение пробоя V(br) (B) Макс.Мин. |
Тест. ток пробоя It (mA) | Постоянное обратное напряжение Vwm (B) | Макс. обр. ток при Vwm Id (мкА) (2) | Макс. имп. ток ограни чения Ippm (A) (1) | Макс. напря жение ограни чения при Ippm Vc (B) |
TGL41-6.8- | 6,12-7,48 | 10 | 5,50 | 1000 | 37,0 | 10,8 |
TGL41-200A | 190210 | 1,0 | 171 | 5,0 | 0,73 | 274 |
Примечание. (1) Форма импульса тока в соответствии с рис. 4. В таблице указаны только параметры диодов с минимальными и максимальными значениями V(br).
Диоды этой серии выпускаются в оригинальных цилиндрических корпусах для поверхностного монтажа. Они выпускаются только в несимметричном исполнении. Для обозначения катода на корпусе наносится специальная полоса голубого цвета (см. габаритный чертеж TGL41-6.8–TGL41-200A ). График, иллюстрирующий зависимость Ppp или Ipp от T для диодов серии TGL41-6.8– TGL41-200A аналогичен приведенному на рис. 15 графику для диодов серии P6КЕ6,8– P6КЕ440СА.