Мощные СВЧ транзисторы Philips Semiconductors

№ 6’2003
СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.

СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.

Впоследние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится. При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.

Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.

Таблица 1. Транзисторы LDMOS 800 МГц — 1,0 ГГц
Таблица 2. Транзисторы LDMOS 1,8 — 2,0 ГГц
Таблица 3. Транзисторы LDMOS 2,0 — 2,2 ГГц для WCDMA
Таблица 4. Основные интегрированные модули
Таблица 5. L- и S-полосные транзисторы для радаров
Таблица 6. Транзисторы для авионики

I. Транзисторы для базовых станций сотовой связи

Кроме транзисторов упакованных в корпуса, Philips выпускает интегрированные модули.

Отличительные особенности интегрированных модулей:

  • LDMOS-технология (пайка прямо на радиатор, линейность, большее усиление),
  • пониженное искажение,
  • меньший нагрев полупроводника за счет использования медного фланца,
  • интегрированная компенсация температурного смещения,
  • 50-омные входы/выходы,
  • линейное усиление,
  • поддержка многих стандартов (EDGE, CDMA).

Рекомендуемые решения для стандарта GSM:

на 800 МГц: BGF844 + BLF1049

на 900 МГц: BGF944 + BLF1049

на 1800 МГц: BGF1801-10 + BLF1820-10

на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-10

Рекомендуемые решения для стандарта CDMA:

на 800 МГц: BGF802-20 + BLF0810-180

на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-90

Рекомендуемые решения для стандарта EDGE:

BGF0810-90

  • выходная мощность: 40 Вт,
  • усиление: 16 дБ,
  • КПД: 37%,
  • ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: –60 дБ,
  • амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

BLF1820-90

  • выходная мощность: 40 Вт,
  • усиление: 12 дБ,
  • КПД: 32%,
  • ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: –60 дБ,
  • амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

II. Транзисторы для вещательных станций

На протяжении последних 25 лет компания Philips сохраняет лидерство в данной области. Использование последних достижений в технологии LDMOS (серии BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx,) позволяет постоянно укреплять позиции на рынке. В качестве примера можно привести огромный успех транзистора BLF861 для ТВ-передатчиков. В отличие от транзисторов конкурентов, BLF861 зарекомендовал себя высоконадежным и высокостабильным элементом, защищенным от выхода из строя при отключении антенны. Никто из конкурентов не смог приблизиться к характеристикам BLF861 по стабильности работы. Можно назвать основные сферы применения таких транзисторов: передатчики на частоты от HF до 800 МГц, частные радиостанции PMR (TETRA), передатчики VHF гражданского и военного назначения.

Основные характеристики транзистора BLF861A

  • Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель),
  • выходная мощность более 150 Вт,
  • усиление более 13 дБ,
  • КПД более 50%,
  • закрывает полосу от 470 до 860 МГц (полосы IV и V),
  • надежный, устойчивый к рассогласованию,
  • устойчив к отключению антенны,
  • является индустриальным стандартом в ТВ-передатчиках на сегодняшний день.

Новая модель транзистора BLF647

  • разработан на основе BLF861A,
  • большой коэффициент усиления 16 дБ на 600 МГц,
  • выходная мощность до 150 Вт,
  • закрывает полосу от 1,5 до 800 МГц,
  • надежный, устойчивый к рассогласованию,
  • устойчив к отключению антенны,
  • имеет встроенный резистор, позволяющий работать на частотах HF и VHF,
  • Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель).

Транзистор BLF872

  • разрабатывается как более мощная замена BLF861A,
  • начало производства 1 квартал 2004 года,
  • выходная мощность до 250 Вт,
  • самый надежный транзистор по устойчивости к рассогласованию,
  • сохраняет линейность,
  • сохраняет надежность,
  • смещение тока Idq менее 10% на 20 лет,
  • коэффициент усиления более 14 дБ,
  • закрывает полосу от 470 до 860 МГц.

III. Транзисторы для радаров и авионики

Новые транзисторы Philips для радаров и авионики также производятся по современной LDMOS-технологии. Кристаллы, выполненные по технологии LDMOS, меньше нагреваются, являются более надежными, имеют большее усиление, не требуют изолятора между подложкой и радиатором. Соответственно, для достижения тех же характеристик требуется меньшее число транзисторов, что дополнительно повышает надежность и снижает стоимость изделия.

Новые разработки:

BLA0912-250

  • полоса от 960 до 1250 МГц (все главные частоты авионики),
  • высокое усиление до 13 дБ,
  • надежность, устойчивость к рассогласованию фаз 5:1,
  • линейность,
  • образцы будут доступны с июня 2003 года.

BLS2934-100

  • полоса от 2,9 до 3,4 ГГц (все главные частоты авионики),
  • использование стандартного негерметичного корпуса,
  • образцы будут доступны к концу 2003 года.

Подводя итоги, можно с уверенностью сказать, что компания Philips идет в ногу со временем и предлагает транзисторы, позволяющие создавать новые устройства, которые обладают более совершенными характеристиками: меньший размер, большая выходная мощность, меньшее число компонентов обвязки и меньшая цена конечного изделия.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *