Подписка на новости

Опрос

Нужны ли комментарии к статьям? Комментировали бы вы?

Реклама

 

Все статьи автора

Маршрут и методика проектирования микросхемы контроллера класса «системы на кристалле» для SD-карт стандарта SDHC , (Компоненты и технологии №11'2012)

В статье описан маршрут и методика проектирования микросхемы контроллера класса «система на кристалле» (СнК) для SD-карт стандарта SDHC. Маршрут разработан на основании проектных процедур и маршрутов, установленных фирмами — разработчиками САПР для проектирования СБИС (Cadence, Synopsys, Mentor Graphics) с учетом рекомендаций фабрик и особенностей технологических процессов производства СБИС.

Обзор специализированного оборудования для проверки SD-карт памяти , (Компоненты и технологии №11'2012)

В статье рассматривается специализированное оборудование (программно-аппаратные тестеры) для проверки SD-карт памяти на соответствие требованиям спецификации SD-ассоциации. Это оборудование позволяет выявлять несоответствия электрических и временных параметров карт памяти как на этапе их разработки, так и при массовом изготовлении.

Практический способ программной эмуляции Secure Digital хоста , (Компоненты и технологии №11'2012)

В современном мире сложно представить себе устройство без съемного носителя информации. Наличие мировых стандартов, таких как файловые системы, форматы кодирования изображений и музыки, позволяет свободно переносить данные с одного устройства на другое. По мере развития переносных носителей информации (дискеты, лазерные диски и флэш-карты) все больше требований стало предъявляться к их надежности и компактности. С появлением карт памяти на основе флэш-памяти стандарта Secure Digital они быстро стали завоевывать рынок мобильных устройств. На сегодня SD-карты памяти, а также miniSD и microSD используются почти во всех мобильных телефонах, фотоаппаратах, переносных ЭВМ и других бытовых и промышленных устройствах.

Технология Secure Digital для карт памяти, (Компоненты и технологии №12'2011)

Классификация, устройство и интерфейс карт памяти стандарта SD.

Современные средства автоматизации процесса проектирования строго самосинхронных схем, (Компоненты и технологии №11'2009)

В статье рассматриваются вопросы построения и работы строго самосинхронных схем, приводятся требования к системам автоматизации проектирования таких схем, описываются два подхода к процессу автоматизации разработки строго самосинхронных схем — с использованием специализированной среды разработки с собственным языком описания схем, а также при помощи специализированных сценариев и существующих САПР для синхронных схем.

Самосинхронные схемы. Принципы построения и элементная база, (Компоненты и технологии №10'2009)

В статье рассмотрены принципы построения самосинхронных схем, дана их классификация, показаны отличия строго самосинхронных и квазисамосинхронных подходов. Приведен базис логических элементов для построения строго самосинхронных схем на основе парафазного представления сигналов. Даны примеры реализации логических элементов и конвейерных схем в этом базисе.

Методы снижения энергопотребления в строго самосинхронных микропроцессоров, (Компоненты и технологии №9'2009)

В статье рассмотрена методика снижения потребляемой мощности строго самосинхронных микропроцессоров. Показаны отличия в подходах к энергосбережению по сравнению с обычными синхронными микропроцессорными системами. Рассмотрены алгоритмы динамического управления напряжением питания ядра микропроцессора при решении различных типов задач. Результатом использования рассмотренных методик является рациональное распределение вычислительной мощности и уменьшение энергопотребления.

Опыт разработки СБИС типа систем на кристалле СнК на основе встроенных микропроцессорных ядер, (Компоненты и технологии №10'2008)

Можно отметить, что в прошедшие два года начался определенный подъем отечественной электроники. Принята и финансируется ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008–2015 годы, в апреле 2007 года создана Ассоциация производителей электронной аппаратуры и приборов, реализуется опыт государственно-частного партнерства при строительстве кремниевых фабрик в ОАО «НИИМЭ и Микрон» и ОАО «Ангстрем». На фоне этих отрадных событий можно сказать, что появилась реальная перспектива как разработки, так и реализации в кремнии серьезных микроэлектронных изделий, конкурентоспособных и на мировом рынке.