Новые безвыводные корпуса для дискретных компонентов от NXP

Компания NXP Semiconductors объявила о выпуске двух новых безвыводных корпусов для малосигнальных дискретных компонентов размером 2×2 мм с рекордно малой высотой — всего 0,65 мм. Пластиковые корпуса с поверхностным монтажом (SMD) в вариантах с тремя (SOT1061) и шестью контактами (SOT1118) увеличивают срок службы компонентов благодаря внешнему теплоотводу, обеспечивающему высочайшую тепловую и электрическую проводимость. Новые продукты, включая 26 типов полевых транзисторов FET-KY, МОП-транзисторы с двойным P-каналом, транзисторы с низким коэффициентом V_CEsat и выпрямители Шоттки, обеспечивают мощность рассеяния P_tot до 2,1 Вт. Такой уровень сравним с производительностью решений в корпусе отраслевого стандарта SOT89 (SC-62), но при этом новые корпуса занимают в два раза меньше места на печатной плате.

Корпуса SOT1061 и SOT1118 не содержат галогенов и оксидов сурьмы и соответствуют требованиям стандарта UL 94V-0 в отношении огнеопасности и директиве RoHS (об ограничении содержания вредных веществ).

Дополнительная информация о новой продукции:

• Транзисторы FET-KY и МОП-транзисторы с двойным P-каналом в корпусе SOT1118 (PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMDPB65UP):
  • Два транзистора FET-KY на 20 В/3 А, диод Шотки с низким коэффициентом V_F и МОП-транзистор с двойным P-каналом на 20 В будут выпущены в новом корпусе SOT1118 в конце июня.
  • Продукты оборудованы дополнительной защитой от статического разряда на 1 кВ (полумостовой контроллер) для повышения устойчивости к статическому электричеству.
  • Новые FET-KY (PMFPB6532UP и PMFPB6545UP) обладают сопротивлением 70 мОм при значении V_GS = 4,5 В, что является самым низким в отрасли значением во включенном состоянии в категории транзисторов на 20 В с защитой от статического электричества. Они также имеют самый низкий коэффициент V_F – 365 мВ и 520 мВ на 1 А соответственно, что повышает их энергоэффективность. МОП-транзистор с двойным P-каналом PMDPB65UP имеет коэффициент R_DSon на уровне 70 мОм при V_GS = 4,5 В, что делает его идеальным решением для высокоэффективного управления питанием.
• BISS-транзисторы с низким V_CEsat в корпусе SOT1061 (семейство PBSS*PA):
  • 14 новых высокоэффективных транзисторов с низким коэффициентом V_CEsat в корпусе SOT1061 демонстрируют показатели, полностью соответствующие названию BISS (Breakthrough in Small Signal — «прорыв в малом сигнале»), поскольку они позволяют достигать сверхнизкого значения напряжения насыщения 200 мВ при 6 А, что соответствует R_CEsat всего 33 мОм.
  • Транзисторы нового семейства PBSS*PA поддерживают весь диапазон напряжений 12–100 В и позволяют достигать значения пикового тока коллектора I_CM = 7 А. Это позволяет клиентам заменить транзисторы в больших корпусах на транзисторы в корпусе SOT1061 и тем самым достичь аналогичной производительности при снижении размера занимаемой площади.
• Выпрямители Шоттки с низким коэффициентом V_F в корпусе SOT1061 (семейство PMEG*EPA):
  • Данные выпрямители Шоттки обеспечивают высокие значения прямого тока с низким падением напряжения в режиме прямого тока и являются первыми подобными устройствами в безвыводном среднемощном корпусе SOT1061.
  • Доступны пять однотипных транзисторов, сертифицированных по стандарту AEC-Q101, со средним значением силы прямого тока до 2 А и диапазоном обратных напряжений 20–60 В. В июне эта линейка будет дополнена четырьмя двойными выпрямителями с силой тока в 1 и 2 А.
  • Эти продукты имеют встроенное предохранительное кольцо для защиты от внешних воздействий и обеспечивают более высокую производительность и эффективность по сравнению с существующими на рынке аналогами.