Мощный нитрид-галлиевый транзистор компании Polyfet RF Devices

Компания Polyfet RF Devices сообщила о выпуске мощного нитрид-галлиевого (GaN) транзистора GX141 с высокой подвижностью электронов (HEMT). Подложка транзистора выполнена на карбиде кремния SiC. Транзистор не содержит внутренних согласующих элементов, поэтому его можно использовать как в широкополосной, так и в узкополосной радиоаппаратуре.

Транзистор GX141 имеет превосходные характеристики теплоотвода за счет использования термически усовершенствованного корпуса GX.

Основные характеристики:

• Максимальная температура перехода 200 °С.
• Тепловое сопротивление переход – корпус составляет 3,50 °C/Вт.
• Общая рассеиваемая мощность 70 Вт.
• КПД 55%.
• Высокий коэффициент усиления по мощности, который в схеме с общим истоком при частоте 2 ГГц составляет не менее 11 дБ.
• Напряжение затвор – исток: 180 В.
• Напряжение сток – исток: от –10 до 2 В.
• Высокое напряжение пробоя (не менее 125 В) позволяет транзистору GX141 работать в широком диапазоне напряжений вплоть до 50 В.