Новый номер журнала «Силовая электроника»

Рады сообщить вам, что вышел новый номер журнала «Силовая электроника» №2 за 2011 г.

В новом номере:

Сравнить несравнимое, сопоставить несопоставимое…

Автором в 2005 году была опубликована статья «Контрольная точка, или об умении читать datasheet между строк», посвященная особенностям нормирования параметров модулей IGBT и их зависимости от способа измерения физических характеристик компонентов. Материал вызвал оживленные отклики и многочисленные дискуссии, которые продолжаются до сих пор. Однако авторы вынуждены с сожалением констатировать, что некоторые «специалисты» до сих пор принимают цифры, использованные в названии модулей, за технические данные. Поэтому мы решили вернуться к обсуждению вопроса, посвященного влиянию способов измерения и нормирования параметров компонентов на их справочные данные.

Низковольтные DС/DC-преобразователи типа POL для бортовой авиационной и ракетно-космической аппаратуры

Наличие в бортовых вычислительных системах современных летательных и космических аппаратов процессоров, элементов памяти, функциональных логических элементов c низкими напряжениями питания (0,8–3,3 В) и импульсным потреблением тока довольно часто требует применения источников питания с высокой нагрузочной способностью и улучшенными показателями электромагнитной совместимости. В статье представлен DC/DC–преобразователь MFP0507S типа POL (point-of-load), предлагаемый компанией Crane Electronics, Inc. (торговая марка Interpoint) для применения в распределенных системах электропитания бортовой аппаратуры авиационной и космической техники.

Комбинированный расчет электромагнитных процессов в схеме мостового инвертора с удвоением частоты

В статье рассмотрены некоторые особенности комбинированного расчета силовой схемы тиристорного мостового инвертора с обратными диодами и удвоением частоты, широко применяемой в тиристорных преобразователях для установок индукционного нагрева металлов токами повышенной частоты. Теоретический анализ автономного инвертора дополняется результатами расчета его PSpice-модели в программе Micro-CAP. В этом случае определяется погрешность от принятых допущений при анализе эквивалентной схемы инвертора, а также воспроизводятся электромагнитные процессы, которыми проверяются теоретические результаты.

Макромоделирование устройств на мощных MOSFET в SimPowerSystems

Мощные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) в настоящее время основные из силовых приборов. По энергетическим параметрам они незначительно уступают тиристорам и IGBT, но заметно превосходят их по динамическим характеристикам. Области применения MOSFET простираются от маломощных инверторов для сотовых телефонов и мобильных компьютеров до мощных промышленных энергетических устройств и систем. В статье описаны средства макромоделирования силовых устройств на мощных MOSFET с помощью новейших реализаций матричной лаборатории MATLAB R2010a,b с обновленными пакетами расширения Simulink и SimPowerSystem.

И много другое!

Ознакомиться с номером можно по адресу: http://power-e.ru/. Следующий номер журнала выйдет 18 июня. Следите за анонсами!